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5656055Immagine NRVUS360VBT3G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NRVUS360VBT3G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NRVUS360VBT3G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NRVUS360VBT3G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.25V @ 3A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMB
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    75ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AA, SMB
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    30 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount SMB
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    3µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    3A
  • Capacità a Vr, F
    -

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