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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > NSV40300MZ4T1G

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Immagine NSV40300MZ4T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSV40300MZ4T1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NSV40300MZ4T1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP 40V 3A SOT223
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NSV40300MZ4T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

400mV @ 300mA, 3A
Tipo transistor

PNP
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-223 (TO-261)
Serie

-
Potenza - Max

2W
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi

NSV40300MZ4T1GOSDKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

4 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

160MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 3A 160MHz 2W Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

175 @ 1A, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

3A

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