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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > NSV40302PDR2G

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NSV40302PDR2G

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Specifiche

Modello di prodotti

NSV40302PDR2G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NSV40302PDR2G.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

115mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor

NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore

8-SOIC
Serie

-
Potenza - Max

653mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi

NSV40302PDR2G-ND
NSV40302PDR2GOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

100MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 1A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

3A

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