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Immagine NSV60101DMTWTBG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSV60101DMTWTBG

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Specifiche

Modello di prodotti

NSV60101DMTWTBG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NSV60101DMTWTBG.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

180mV @ 100mA, 1A
Tipo transistor

2 NPN (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)
Serie

-
Potenza - Max

2.27W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-WDFN Exposed Pad
Altri nomi

NSV60101DMTWTBG-ND
NSV60101DMTWTBGOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

19 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

180MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 180MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)

100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

1A

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