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553801Immagine NSV9435T1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSV9435T1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NSV9435T1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NSV9435T1G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    30V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    550mV @ 300mA, 3A
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223 (TO-261)
  • Serie
    -
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    720mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    110MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 3A 110MHz 720mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    125 @ 800mA, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    3A

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

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Descrizione: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4

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Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

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