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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTD12N10-1G

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Immagine NTD12N10-1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD12N10-1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTD12N10-1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTD12N10-1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

I-PAK
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

165 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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