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1588029Immagine NTHD4502NT1.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHD4502NT1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTHD4502NT1
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    NTHD4502NT1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ChipFET™
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    85 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Potenza - Max
    640mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    140pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.2A 640mW Surface Mount ChipFET™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.2A
  • Numero di parte base
    NTHD4502N

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