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Immagine NTHD5902T1.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHD5902T1

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Specifiche

Modello di prodotti

NTHD5902T1
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

NTHD5902T1.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

ChipFET™
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

85 mOhm @ 2.9A, 10V
Potenza - Max

1.1W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SMD, Flat Lead
Altri nomi

NTHD5902T1OS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.5 nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

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