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4822705Immagine NTHD4N02FT1.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTHD4N02FT1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTHD4N02FT1
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    NTHD4N02FT1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ChipFET™
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    910mW (Tj)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    NTHD4N02FT1OS
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    300pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 2.9A (Tj) 910mW (Tj) Surface Mount ChipFET™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Tj)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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