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Immagine NTLJD3119CTBG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJD3119CTBG

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Specifiche

Modello di prodotti

NTLJD3119CTBG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTLJD3119CTBG.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)
Serie

µCool™
Rds On (max) a Id, Vgs

65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Potenza - Max

710mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-WDFN Exposed Pad
Altri nomi

NTLJD3119CTBG-ND
NTLJD3119CTBGOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

271pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.6A, 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A, 2.3A
Numero di parte base

NTLJD3119C

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