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Immagine NTLJD4116NT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJD4116NT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

NTLJD4116NT1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTLJD4116NT1G.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

70 mOhm @ 2A, 4.5V
Potenza - Max

710mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

427pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.5A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

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