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NTLJD2105LTBG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTLJD2105LTBG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NTLJD2105LTBG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-WDFN (2x2)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    50 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Potenza - Max
    520mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-WDFN Exposed Pad
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    8V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.5A

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