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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > NTLJF3118NTAG

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Immagine NTLJF3118NTAG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJF3118NTAG

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Specifiche

Modello di prodotti

NTLJF3118NTAG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTLJF3118NTAG.pdf
Vgs (th) (max) a Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)

700mW (Ta)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

6-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

271pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)

20V
Descrizione dettagliata

N-Channel 20V 2.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Ta)

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