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1813215Immagine NTLJS1102PTBG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJS1102PTBG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NTLJS1102PTBG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NTLJS1102PTBG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    720mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-WDFN (2x2)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    700mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-WDFN Exposed Pad
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1585pF @ 4V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    8V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 8V 3.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Ta)

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