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Immagine NTP60N06L.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTP60N06L

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Specifiche

Modello di prodotti

NTP60N06L
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

NTP60N06L.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

16 mOhm @ 30A, 5V
Dissipazione di potenza (max)

2.4W (Ta), 150W (Tj)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

NTP60N06LOS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3075pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Tensione drain-source (Vdss)

60V
Descrizione dettagliata

N-Channel 60V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Ta)

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