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Immagine NTP65N02RG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTP65N02RG

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Specifiche

Modello di prodotti

NTP65N02RG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTP65N02RG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

10.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

NTP65N02RGOS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

N-Channel 25V 7.6A (Ta), 58A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

7.6A (Ta), 58A (Tc)

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