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Immagine NTP6412ANG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTP6412ANG

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Specifiche

Modello di prodotti

NTP6412ANG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTP6412ANG.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

18.2 mOhm @ 58A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

167W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

NTP6412ANG-ND
NTP6412ANGOS
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 58A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

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