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Immagine NTTFS4H07NTWG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTTFS4H07NTWG

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Specifiche

Modello di prodotti

NTTFS4H07NTWG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTTFS4H07NTWG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

4.8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.64W (Ta), 33.8W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
temperatura di esercizio

150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

44 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

771pF @ 12V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

12.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

25V
Descrizione dettagliata

N-Channel 25V 18.5A (Ta), 66A (Tc) 2.64W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18.5A (Ta), 66A (Tc)

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