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Immagine NTTFS5811NLTAG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTTFS5811NLTAG

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Specifiche

Modello di prodotti

NTTFS5811NLTAG
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

NTTFS5811NLTAG.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

6.4 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.7W (Ta), 33W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerWDFN
Altri nomi

NTTFS5811NLTAG-ND
NTTFS5811NLTAGOSTR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 17A (Ta), 53A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta), 53A (Tc)

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