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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > NUS2401SNT1G
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3201753Immagine NUS2401SNT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NUS2401SNT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NUS2401SNT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NUS2401SNT1G.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-74
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    175 Ohms, 10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    175 Ohms, 10 kOhms
  • Potenza - Max
    350mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-74, SOT-457
  • Altri nomi
    NUS2401SNT1GOS
    NUS2401SNT1GOS-ND
    NUS2401SNT1GOSTR
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased 50V 200mA 350mW Surface Mount SC-74
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    -
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    200mA
  • Numero di parte base
    NUS2401

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