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5114477Immagine NVTFS6H850NTAG.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVTFS6H850NTAG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVTFS6H850NTAG
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 68A TRENCH 8WDFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVTFS6H850NTAG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 70µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3.2W (Ta), 107W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerWDFN
  • Altri nomi
    NVTFS6H850NTAG-ND
    NVTFS6H850NTAGOSTR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    40 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    11.4nF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 11A (Ta), 68A (Tc) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta), 68A (Tc)

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