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775324Immagine NVTJD4001NT1G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVTJD4001NT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NVTJD4001NT1G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NVTJD4001NT1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 100µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 10mA, 4V
  • Potenza - Max
    272mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    NVTJD4001NT1GOSDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    33 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    33pF @ 5V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    1.3nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 250mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    250mA

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