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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-JFET > SMMBF4391LT1G

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Immagine SMMBF4391LT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMMBF4391LT1G

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Specifiche

Modello di prodotti

SMMBF4391LT1G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SMMBF4391LT1G.pdf
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id

4V @ 10nA
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS)

30V
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Resistenza - RDS (on)

30 Ohms
Potenza - Max

225mW
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 15V (VGS)
Tipo FET

N-Channel
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0)

50mA @ 15V
Numero di parte base

MBF4391

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