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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > SMMBT2222ALT3G

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Immagine SMMBT2222ALT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMMBT2222ALT3G

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Specifiche

Modello di prodotti

SMMBT2222ALT3G
Costruttore / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SMMBT2222ALT3G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

40V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Potenza - Max

300mW
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi

SMMBT2222ALT3GOSCT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

50 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione

300MHz
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)

10nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)

600mA
Numero di parte base

MMBT2222A

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