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1578301Immagine SVD2955T4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD2955T4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SVD2955T4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SVD2955T4G.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    180 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    55W (Tj)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    NVD2955T4GOSCT
    NVD2955T4GOSCT-ND
    SVD2955T4GOSCT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    750pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Surface Mount DPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: STMicroelectronics
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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