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1584286Immagine SVD5803NT4G.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD5803NT4G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SVD5803NT4G
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SVD5803NT4G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    83W (Tc)
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    NVD5803NT4GOSDKR
    SVD5803NT4GOSDKR
    SVD5803NT4GOSDKR-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    36 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3220pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 40V 85A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    85A (Tc)

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Descrizione: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descrizione: N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP.,

Produttori: STMicroelectronics
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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