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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY7C1041G18-15BVXI
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2707918Immagine CY7C1041G18-15BVXI.Cypress Semiconductor

CY7C1041G18-15BVXI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY7C1041G18-15BVXI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.CY7C1041G18-15BVXI.pdf
    2.CY7C1041G18-15BVXI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.65 V ~ 2.2 V
  • Tecnologia
    SRAM - Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    48-VFBGA (6x8)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    48-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    11 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 15ns 48-VFBGA (6x8)
  • Tempo di accesso
    15ns

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Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
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Descrizione: IC SRAM 4M PARALLEL

Produttori: Cypress Semiconductor
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