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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY7C1041G30-10BVJXIT
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6872527Immagine CY7C1041G30-10BVJXIT.Cypress Semiconductor

CY7C1041G30-10BVJXIT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY7C1041G30-10BVJXIT
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.CY7C1041G30-10BVJXIT.pdf
    2.CY7C1041G30-10BVJXIT.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    10ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.2 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    48-VFBGA (6x8)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    48-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    11 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-VFBGA (6x8)
  • Tempo di accesso
    10ns

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