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615018Immagine DMG8601UFG-7.Diodes Incorporated

DMG8601UFG-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMG8601UFG-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMG8601UFG-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.05V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    U-DFN3030-8
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Potenza - Max
    920mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerUDFN
  • Altri nomi
    DMG8601UFG-7DITR
    DMG8601UFG7
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    143pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    8.8nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6.1A
  • Numero di parte base
    DMG8601UFG

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