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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > DMG963030R
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2552770Immagine DMG963030R.Panasonic

DMG963030R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMG963030R
  • Costruttore / Marca
    Panasonic
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMG963030R.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SSMini5-F4-B
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potenza - Max
    125mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-665
  • Altri nomi
    DMG963030RCT
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    11 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini5-F4-B
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
    DMG96303

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

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Descrizione: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6

Produttori: Panasonic
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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Produttori: Diodes Incorporated
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