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DMG8822UTS-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMG8822UTS-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMG8822UTS-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    900mV @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-TSSOP
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
  • Potenza - Max
    870mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    841pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    9.6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.9A (Ta) 870mW Surface Mount 8-TSSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.9A (Ta)

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