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3405213Immagine DMN2013UFDE-7.Diodes Incorporated

DMN2013UFDE-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN2013UFDE-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN2013UFDE-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    11 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    660mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-UDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    DMN2013UFDE-7DITR
    DMN2013UFDE7
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2453pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    25.8nC @ 8V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    10.5A (Ta)

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