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4878616Immagine DMN2016LHAB-7.Diodes Incorporated

DMN2016LHAB-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN2016LHAB-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN2016LHAB-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    U-DFN2030-6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    15.5 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-UDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    DMN2016LHAB-7DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1550pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7.5A

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