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214064Immagine DMN2020UFCL-7.Diodes Incorporated

DMN2020UFCL-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN2020UFCL-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN2020UFCL-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    X1-DFN1616-6 (Type E)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    14 mOhm @ 9A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    610mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-PowerUFDFN
  • Altri nomi
    DMN2020UFCL-7DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    17 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1788pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    21.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 9A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1616-6 (Type E)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta)
  • Numero di parte base
    DMN2020

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