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DMN2023UCB4-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN2023UCB4-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN2023UCB4-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    X1-WLB1818-4
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    -
  • Potenza - Max
    1.45W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    4-XFBGA, WLBGA
  • Altri nomi
    DMN2023UCB4-7DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1.45W Surface Mount X1-WLB1818-4
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    -

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