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5653409Immagine DMP57D5UFB-7.Diodes Incorporated

DMP57D5UFB-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMP57D5UFB-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMP57D5UFB-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6 Ohm @ 100mA, 4V
  • Dissipazione di potenza (max)
    425mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-UFDFN
  • Altri nomi
    DMP57D5UFB-7-ND
    DMP57D5UFB-7DITR
    DMP57D5UFB7
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    29pF @ 4V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    50V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 50V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

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