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5603603Immagine DMP58D0LFB-7.Diodes Incorporated

DMP58D0LFB-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMP58D0LFB-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMP58D0LFB-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    8 Ohm @ 100mA, 5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    470mW (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    3-UFDFN
  • Altri nomi
    DMP58D0LFB-7DICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    27pF @ 25V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    50V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 50V 180mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    180mA (Ta)

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