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2639998Immagine ZXMHC6A07N8TC.Diodes Incorporated

ZXMHC6A07N8TC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ZXMHC6A07N8TC
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ZXMHC6A07N8TC.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    250 mOhm @ 1.8A, 10V
  • Potenza - Max
    870mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    ZXMHC6A07N8DIDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    166pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.39A, 1.28A
  • Numero di parte base
    ZXMHC6A07

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