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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 3N163-E3
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4475156Immagine 3N163-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

3N163-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    3N163-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    3N163-E3.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 10µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-72
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    250 Ohm @ 100µA, 20V
  • Dissipazione di potenza (max)
    375mW (Ta)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3.5pF @ 15V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    40V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 40V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Through Hole TO-72
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    50mA (Ta)

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Descrizione: MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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