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6320491Immagine SI3446ADV-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3446ADV-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI3446ADV-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI3446ADV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    37 mOhm @ 5.8A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2W (Ta), 3.2W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    640pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 20V 6A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
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Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
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Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
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Descrizione: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

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