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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > SI5511DC-T1-GE3

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Immagine SI5511DC-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5511DC-T1-GE3

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Specifiche

Modello di prodotti

SI5511DC-T1-GE3
Costruttore / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

SI5511DC-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™
Serie

TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs

55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Potenza - Max

3.1W, 2.6W
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-SMD, Flat Lead
Altri nomi

SI5511DC-T1-GE3TR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 5V
Tipo FET

N and P-Channel
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

4A, 3.6A
Numero di parte base

SI5511

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