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1820114Immagine SI5511DC-T1-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5511DC-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI5511DC-T1-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI5511DC-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    1206-8 ChipFET™
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
  • Potenza - Max
    3.1W, 2.6W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SMD, Flat Lead
  • Altri nomi
    SI5511DC-T1-E3TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    435pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    7.1nC @ 5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4A, 3.6A
  • Numero di parte base
    SI5511

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Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI5511DC-T1-GE3

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Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

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