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499451Immagine SI5517DU-T1-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5517DU-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI5517DU-T1-E3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI5517DU-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerPAK® ChipFet Dual
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Potenza - Max
    8.3W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Altri nomi
    SI5517DU-T1-E3CT
    SI5517DUT1E3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    520pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 8V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 8.3W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A
  • Numero di parte base
    SI5517

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