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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > SQ4435EY-T1_GE3
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SQ4435EY-T1_GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQ4435EY-T1_GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    SQ4435EY-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    18 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    6.8W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2170pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

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