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SQ4080EY-T1_GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQ4080EY-T1_GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SQ4080EY-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    85 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    7.1W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    SQ4080EY-T1_GE3TR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1590pF @ 75V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    150V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 150V 18A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    18A (Tc)

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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