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SQ4282EY-T1_GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQ4282EY-T1_GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    SQ4282EY-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SOIC
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    12.3 mOhm @ 15A, 10V
  • Potenza - Max
    3.9W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2367pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    47nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Tc) 3.9W Surface Mount 8-SOIC
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

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