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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > SQ9945AEY-T1-E3
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SQ9945AEY-T1-E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SQ9945AEY-T1-E3
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    80 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Potenza - Max
    2.4W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.7A 2.4W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.7A
NVMD6N03R2G

NVMD6N03R2G

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
SIA914ADJ-T1-GE3

SIA914ADJ-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
NTLGD3502NT2G

NTLGD3502NT2G

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
NTMD2C02R2

NTMD2C02R2

Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Descrizione: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
APTM50AM25FTG

APTM50AM25FTG

Descrizione: MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4

Produttori: Microsemi
In magazzino
SI5906DU-T1-GE3

SI5906DU-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
IRF7754

IRF7754

Descrizione: MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
SSM6L13TU(T5L,F,T)

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
APTSM120AM14CD3AG

APTSM120AM14CD3AG

Descrizione: POWER MODULE - SIC

Produttori: Microsemi
In magazzino
BSS84V-7

BSS84V-7

Descrizione: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
SQ9945BEY-T1_GE3

SQ9945BEY-T1_GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
BUK7K5R1-30E,115

BUK7K5R1-30E,115

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D

Produttori: Nexperia
In magazzino
SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SQ9407EY-T1_GE3

SQ9407EY-T1_GE3

Descrizione: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SI1902CDL-T1-GE3

SI1902CDL-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
SSM6P35FE(TE85L,F)

SSM6P35FE(TE85L,F)

Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino
IRF7105TRPBF

IRF7105TRPBF

Descrizione: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101

Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino

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