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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2N7635-GA
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2454535Immagine 2N7635-GA.GeneSiC Semiconductor

2N7635-GA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N7635-GA
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS SJT 650V 4A TO-257
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N7635-GA.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Tecnologia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-257
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    415 mOhm @ 4A
  • Dissipazione di potenza (max)
    47W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-257-3
  • Altri nomi
    1242-1146
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 225°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    324pF @ 35V
  • Tipo FET
    -
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc) (165°C)

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