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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > 2N7335
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3352028

2N7335

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N7335
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N7335.pdf
  • Tensione - Prova
    -
  • Tensione - Ripartizione
    MO-036AB
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.4 Ohm @ 500mA, 10V
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    750mA
  • Potenza - Max
    1.4W
  • Polarizzazione
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    2N7335
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Caratteristica FET
    4 P-Channel
  • Descrizione espansione
    Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole MO-036AB
  • Tensione drain-source (Vdss)
    Standard
  • Descrizione
    MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100V

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Descrizione: TRANS NPN 80V 0.5A TO-18

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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