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5600247Immagine GA01PNS80-220.GeneSiC Semiconductor

GA01PNS80-220

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GA01PNS80-220
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SILICON CARBIDE 8KV
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GA01PNS80-220.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    8000V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    -
  • Serie
    -
  • Resistenza a If, F
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    Axial
  • Altri nomi
    1242-1259
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    PIN - Single
  • Descrizione dettagliata
    RF Diode PIN - Single 8000V 2A
  • Corrente - Max
    2A
  • Capacità a Vr, F
    4pF @ 1000V, 1MHz

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Descrizione: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: BOARD GATE DRIVER

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Descrizione: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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Descrizione: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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